王怀兵

 王怀兵：研究员 博士生导师 

1986年7月毕业于浙江大学化学工程专业；1991年6月获得浙江大学化学工程专业硕士学位；2001年3月毕业于中国科技大学材料科学与工程系，并获得博士学位。2001年4月，加入深圳方大集团股份有限公司（股票代码：000055），参与创建半导体事业部（项目投资额1.5亿元），开发和生产第三代半导体材料氮化镓基（GaN）蓝光发光二极管（LED）芯片及相关产品，王怀兵博士时任副总经理，负责关键材料外延片的研发及生产，该项目后被列为国家火炬计划、深圳市重点建设高新技术项目。2006年8月加入中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所，现为我所研究员、博士生导师。
主要科学贡献：
主持过一项江苏省科研项目（新型医用光源关键材料技术研究）、一项安徽省科研项目“具有高吸附特性的多孔氧化硅粉体制备”，作为核心成员参与了“十五”国家高科技研究发展计划重大科技攻关项目“半导体照明产业化技术开发功率型芯片产业化关键技术”，提出大尺寸成核外延生长概念（中国专利：CN03118956.3），将GaN薄膜材料缺陷密度降低一个数量级、迁移率提高到800cm2/Vs，LED亮度从3mW提高到6mW，产品处于国内领先水平。2004年开发出大功率芯片的p-AlGaN阻挡层界面平整化技术，大大减小了界面纳米刺相互嵌入所引起的漏电，LED器件寿命延长一倍。2005年开发出有源层应力预释放LED新结构，将有源层InGaN的V－pits缺陷密度降低一个数量级，LED亮度提高30～40％，产品在科技部举行的全国行业评比中各项指标名列前矛。在薄膜生长Journal of Crystal Growth 、Solid-State Electronics、Thin Solid Films等国际杂志上发表多篇文章，拥有专利五项。

http://www.sinano.cas.cn/yjsjy/dsjj/bssds/201305/t20130514_3839147.html