“阙端麟”的版本间的差异

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阙端麟（1928.5.19-2014.12.17）
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阙端麟(1928.5.19-2014.12.17)
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<br>出生于福建福州，中国半导体材料专家、浙江省政协原副主席、省科协原主席、原浙江大学副校长，1991当选为中国科学院院士，博士生导师，我国较早开始半导体材料教学与科学研究的学者之一。试制成我国第一台温差电发电机，在硅烷提纯和高纯多晶硅制备等方面取得突破，所负责的探测器级特高阻硅单晶的“六五”攻关研究项目取得圆满成功，发展了硅单晶单色红外光电导衰减少子寿命测试技术，发明了减压充氮直拉硅单晶生长技术。研究的多项成果都应用于生产实际，取得突出成绩。
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<br>　　阙端麟，中国科学院院士，半导体材料专家，我国较早开始半导体材料教学与科学研究的学者之一。试制成我国第一台温差电发电机，在硅烷提纯和高纯多晶硅制备等方面取得突破，所负责的探测器级特高阻硅单晶的“六五”攻关研究项目取得圆满成功，发展了硅单晶单色红外光电导衰减少子寿命测试技术，发明了减压充氮直拉硅单晶生长技术。研究的多项成果都应用于生产实际，取得突出成绩。
 
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<br>　　阙端麟，自1953年起在浙江大学工作。1954年晋升为讲师，1978年晋升为副教授，1981年晋升为教授。阙端麟曾先后任浙江大学电机系实验室主任、无线电系半导体材料与器件教研室副主任、材料科学与工程系副主任、半导体材料研究室主任、半导体材料研究所所长、浙江大学副校长、校务委员会副主任等职。阙端麟在政府和学术团体中担任的专业职务主要有：浙江省自然科学基金委员会副主任、浙江省学位委员会副主任、浙江省人民政府经济建设咨询委员会委员、中国电子学会电子材料学会专业学会第二届副主任委员、浙江省电子学会第三届副理事长、国务院第二届、第三届学位委员会非金属材料学科评议组成员、国家科委发明委员会特邀评审员、国家自然科学基金委员会半导体学科评审组成员、中国发明协会理事、九三学社浙江省第一届副主任委员等；现任主要职务：九三学社中央常委、浙江省委主任委员，浙江省政协副主席。阙端麟是第六届全国政协委员。
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<br>　　阙端麟，1928年5月19日出生于福建省福州市。当他在马尾的莲峰小学读书时，抗日战争爆发，后转入福州的三一小学读到毕业，但不久福州即被日本侵略军占领，他跟随父母迁居后方的南平，进入省立南平初级中学学习。在艰苦的环境下，他刻苦攻读，1944年以优秀成绩完成初中学业，进入著名的福州英华中学读高中。1945年，抗日战争胜利，他随英华中学回到福州，继续高中学习，学习成绩一直名列前茅。1947年夏天，他考取厦门大学电机系，1951年以优异成绩毕业，留校任助教。
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<br>　　1953年院系调整时，他被调到浙江大学电机系工作，筹建和承担电机系电工材料的教学任务。由于教学成果突出，1954年被破格提升为讲师，并担任电机系实验室主任。同年，他开始了温差电半导体材料和器件的实验，制备出了我国第一台温差发电机。1957年，他参与筹建浙江大学无线电系半导体材料与器件专业，随之担任教研室副主任。1959年，他开始转向半导体硅材料的研究，主要从事高纯硅烷的提纯和高纯多晶硅的制备、探测器级高纯硅单晶的研制、硅单晶测试分析技术以及掺氮直拉硅单晶的晶体生长和缺陷工程基础研究。1970年后，半导体材料与器件专业分为半导体器件专业与半导体材料研究室，他担任半导体材料研究室主任，并在1978年晋升为副教授。1979年，浙江大学成立国内第一个材料科学与工程学系，半导体材料研究室从无线电系转入材料系，并成立半导体材料研究所，他担任材料系副主任和半导体材料所所长。1981年晋升为教授，1984年到1988年担任浙江大学副校长，1988年后担任浙江大学校务委员会副主任等职务。
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<br>　　1986年，在半导体材料研究所和产业基地的基础上成立高纯硅及硅烷国家重点实验室(后改名为硅材料国家重点实验室)，他任学术委员会常务副主任，1994年至1997年兼任此国家实验室主任，1997年后担任该实验室学术委员会主任。
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<br>　　1983年他被评为浙江省“五讲四美、为人师表”优秀教师，1986年被评为国家级有突出贡献的中青年专家，1988年获浙江省劳动模范称号，1990年再次被评为浙江省劳动模范，并被评为全国高等学校先进工作者，获全国五一劳动奖章。1996年他所领导的硅材料国家重点实验室获“浙江省重大科技贡献奖”。
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<br>　　阙端麟曾先后担任浙江省自然科学基金委员会副主任，浙江省人民政府经济建设咨询委员会委员，浙江省学位委员会副主任，中国电子学会电子材料学分会副主任，浙江省电子学会副理事长、名誉理事长，国务院学位委员会第二届、第三届、第四届非金属材料学科评审组成员、负责人，国家自然科学基金委员会半导体学科评审组成员、组长，中国发明协会理事、“九三学社”中央委员、常委，“九三学社”浙江省委主委，浙江省科协主席，浙江省政协副主席等职。1983年担任第六届全国政协委员，1988年当选为第七届全国人大代表。1991年当选为中国科学院技术科学部学部委员(1993年改称院士)。
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<br>　　作为早期的半导体材料研究者之一的阙端麟，曾先后获得国家发明奖3项，省部级一、二等奖11项。1954年开始温差电材料的研究并试制成我国第一台温差电发电机。1959年开始提纯硅烷及制备高纯硅的研究，1964年在国内首先用硅烷法制成高纯硅，随后在浙江大学组成扩大的研究课题组，完成了高纯硅烷及多晶硅生产的成套技术并进行‘中试’，该方法投资省、适合小规模生产，是我国30多年来生产高纯硅烷的主要方法，该成果于1980年获国家发明三等奖。20世纪80年代，还研究制得了高纯高阻探测器级硅单晶。在硅单晶电学测试方面，发展了单色红外光电导衰减寿命测试技术和理论，1.09μm红外光电导衰减寿命测试仪的研究成果于1988年获国家发明三等奖，该成果广泛应用于我国硅单晶工业产品寿命测试和科研。80年代初首先提出用氮作为保护气的直拉硅单晶技术，生产出优质低成本硅单晶，取得中国发明专利7项，1989年获国家发明二等奖。由于研究成果突出，2002年又获“何梁何利科技进步奖”。
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<br>　　他所领导的浙江大学半导体材料学科是国家重点学科，是我国最早的半导体材料工学硕士点、博士点，是国家半导体硅材料人才培养的主要基地之一。
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<br>　　他坚持产学研结合，不仅努力开展半导体材料的研究，而且积极推动硅材料的产业化。早在70年代初期，他就在半导体材料所设立产业基地，生产高纯硅烷、高纯多晶硅和单晶硅，后来产业基地改为浙大半导体厂，发展成为国内半导体硅材料的重要企业之一。
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<br>硅烷提纯和高纯多晶硅制备
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<br>　　硅材料是产量大、用途广的一种半导体材料。对硅材料的研究、开发水平和形成产业的规模，在一定程度上标志着这个国家的电子工业的发展水平。由于半导体硅材料要求的纯度很高，因此制备的难度很大。国外对半导体硅材料的研究始于50年代初期。
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<br>　　1959年，阙端麟开始着手提纯硅烷及制备高纯硅的研究时，国内的科研条件很艰苦，既没有足够的经费，也没有足够的场地;加上限于当时的条件，不易获得有参考价值的国外资料。而且在硅烷的研制过程中，有着一不小心就可能发生爆炸的危险，以致在开始时国内没有一个研究小组敢于率先开展这方面的工作。他凭借着敏锐的科学眼光和勇气，决定攻克这一科研难题。他领导研究组同事，先从硅烷制备开始，选定技术路线，搭建实验平台，并冒着气体爆炸的危险，一次一次地进行实验。鉴于制备半导体硅材料必须先有高纯度硅烷，即硅烷中的微量杂质含量要降低到每百万个硅原子中只能有一个杂质原子，因此需要对硅烷中微量杂质、杂质的吸附与吸收等方面进行精细而艰苦的研究。得到高纯硅烷以后，还要将它还原制备成高纯多晶硅。经过5年的努力，1964年他们在提纯硅烷制取高纯硅研究方面取得了突破，在国内首先成功地获得了硅烷法高纯硅单晶及高纯硅烷。此后，浙江大学扩大了硅材料研究组。1970年在实验研究的基础上，完成并建立了高纯硅烷及高纯多晶硅生产的成套工艺技术。1977年该研究成果及“中试”通过鉴定。1980年定名为“全分子筛吸附法提纯硅烷”的研究成果获得国家发明三等奖。
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<br>　　这套技术生产工艺简单、流程短、投资省，易于保证高纯度，成为此后30多年中我国生产高纯硅烷的主要方法。
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<br>单色红外光电导衰减寿命测试技术和理论
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<br>　　半导体硅单晶是高纯材料，其电学测量需要精确的测试技术和精良的测试仪器。少数载流子寿命是硅单晶材料的基本参数之一，也是判断硅单晶材料质量好坏的主要指标之一。当时，一般硅材料研究或生产单位都不能测试硅单晶少子寿命，而国内硅单晶的研究、开发和生产又急需这样的测试分析设备。70年代以后，阙端麟在突破高纯硅单晶的研制和工业生产的同时，将精力投向硅材料的测试技术和理论的研究，以及测试仪器的研制，在硅单晶少数载流子寿命测试方面提出了新的创见。他发展了单色红外光电导衰减技术和理论，提出了将测试光源改为宽脉冲辐照，先后研制成功了GGS-1、GGS-2型硅单晶少数载流子寿命仪，其技术指标均大大超过当时同类进口产品。这两种仪器在国内获得了广泛使用。与此同时，他还创立并首先发表了高频单色光电导衰减寿命测试的表面修正公式。1988年，其科研成果“1.09μm高频红外光电衰减寿命测试仪”获国家发明三等奖。
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<br>以氮为保护气的直拉硅单晶技术
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<br>　　作为微电子工业基础材料的直拉硅单晶，其早期是在真空中生长的。后来人们发现，利用惰性气体氩气作为保护气体，可以生长优质的直拉硅单晶。但是在80年代，中国的高纯氩气资源十分缺乏和昂贵。当时国际上都认为氮气与硅在高温下会发生化学反应，不能作为硅单晶生长的保护气。他未为这种观念所束缚，而以廉价的氮气替代氩气，首创了“减压充氮直拉硅单晶”的整套技术。这套具有中国自主知识产权的新技术，先后获得7项中国发明专利，据此生产的硅单晶中的有害杂质碳可降低到红外检测灵敏度之下。浙江大学半导体厂硅单晶生产的快速发展并取得重大的经济效益与采用这项新技术密切相关。这项成果被《科技日报》评选为1987年度中国10项重大科技成果之一，并于1989年获得国家发明二等奖。
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<br>　　这项发明还开辟了含氧硅单晶的氮基础研究的广阔领域。他所领导的研究组，在有关国际杂志和国际会议上发表了数十篇论文，首次揭示了微氮硅中的许多重要性能：如新的氧沉淀形态、氮与氧沉淀关系、氮对新施主的影响、微氮硅单晶可采用吸除技术、氮氧施主的消除方法、氮关施主的发现、消除技术的研究，等等。这些都有力地促进了这个研究领域的深入发展，并在国际上产生了重要影响。
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<br>建立基地，教书育人
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<br>　　在半导体硅材料领域辛勤耕耘了50年的阙端麟，为国家培养了一大批半导体材料领域的硕士、博士和博士后等高级人才，可谓桃李满天下。他们之中有不少已成为国内外有关院校或研究部门的知名教授或专家。
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<br>　　50年代，他带领教研组、研究所的科研人员，在一片空白的基础上，建成了浙江大学半导体材料学科。80年代，我国恢复研究生培养制度后，他所领导的浙江大学半导体材料专业是国务院学位委员会批准的第一批工学半导体材料的硕士点，不久又成为第一个工学半导体材料博士点，并于1991年建成博士后流动站，他自己也成为我国第一位工学半导体材料博士生导师。1988年，他领导的浙江大学半导体材料学科被评为国家重点学科，在当时这是我国唯一的“半导体材料”国家重点学科。2002年国家重新评估重点学科时，按照新学科目录，半导体材料学科归入“材料物理与化学”学科，再次被评为国家重点学科。1985年，国家计委批准浙江大学在半导体材料学科的基础上，建设高纯硅及硅烷国家重点实验室(后改名硅材料国家重点实验室)，1987年建成后对外开放。这也是国家“211”建设和教育部“985”建设的重点学科。在他的领导下，浙江大学半导体材料学科和硅材料国家实验室，已经成为我国半导体硅材料研究、开发和人才培养的主要基地之一。
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<br>　　阙端麟一直非常重视科研与生产相结合，坚持产、学、研紧密结合。早在70年代初期，他就尽力促进研究所在科研成果的基础上建立了半导体厂，首先将硅烷、高纯多晶硅成果转为产业化生产，继之又将硅单晶分析测试设备、探测器级高阻硅单晶、微氮直拉硅单晶等研究成果转化为实际生产，使半导体厂所创造的经济效益得以支持学科和国家实验室的建设，从而形成了学科建设与生产发展紧密结合、互相支持、共同发展的特色。浙江省政府为了奖励他领导的团队在科研转化生产力方面的突出贡献，特于1996年向该硅材料国家重点实验室颁发了浙江省重大科技贡献奖。
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<br>　　在浙江大学半导体材料所基础上建立起来的浙江大学半导体厂发展很快，其直拉硅单晶产量居国内同行前列，1995年国务院经济研究中心即授予浙江大学半导体厂“中华之最”(全国直拉硅单晶产量第一)的荣誉，成为国内硅材料的主要产业基地之一，其产品还大量出口海外。
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<br>　　作为浙江大学教授，阙端麟肩负着教书育人的重任，50年来一直在教育战线上辛勤耕耘，70多岁时仍然坚持给研究生上课，坚持参加学术讨论会，历任浙大半导体材料研究所所长、材料系副主任、浙江大学副校长、浙江大学校务委员会副主任，为浙大的教育事业作出了重大的贡献。
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<br>　　中华人民共和国成立之初，百废待兴，正是需要人才的时候。当时学校考虑阙端麟有扎实的物理化学基础，决定把理工结合，物理、化学、电学交叉的电工材料新课程交给才毕业两年的他单独承担。他积极投入教学改革工作，独立承担了电工材料课程教材、教学、实验的全部筹建工作，按时于1954年开出电机系各专业的电工材料课程，在国内最早建立了较完善的电工材料实验教学，并且教学效果突出，深受学生好评，成为浙江大学第一批先进工作者中最年轻的一位。后来他参与了筹建浙江大学半导体材料与器件专业，这是我国最早的一批工科半导体材料与器件专业之一。他先后为本科生、研究生开设了“电工材料”、“半导体材料”、“半导体专论”、“半导体物理”、“近代物理基础”等课程，其中多门课程都是在没有教科书，甚至没有系统参考书的情况下，由他首先收集资料开出的。他还主编了《硅材料科学和技术》专著。
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<br>　　阙端麟在科学研究中，高瞻远瞩，从不人云亦云，搞低水平重复，总是在了解前人和同时代人工作的基础上，提出自己的独特的思想和技术路线。
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<br>作者：杨德仁
 
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<br>　　1951年毕业于厦门大学电机系，毕业后留校任教。1953年调浙江大学工作至今。1954年在国内开始从事温差电材料的研究，跨入了半导体材料这一新兴学科。959年开始硅材料研究工作。1964年在国内首先用硅烷法制成纯硅及高纯硅烷；负责并领导了极高阻硅单晶的研制，并成功地研制出探测器级硅单晶。在硅单晶电学测试方面，进行了新的测试方法和理论研究，提出了双频动态电导法和间歇加热法测试硅材料导电型号；发展了单色红外光电导衰减寿命的测试技术和理论，研制生产了仪器，使硅单晶工业产品寿命测试仪全部国产化。<br>　　20世纪80年代，首先提出用氮作为保护气直拉硅单晶技术，生产出优质低成本硅单晶，开辟了微氮直拉硅单晶基础研究工作。<br>　　1991当选为中国科学院院士（学部委员）。<br>　　在国内首先开展硅烷法提纯硅的研究，领导研究成功以分子筛吸附生产高纯硅的方法。提出氮气保护直拉硅单晶技术，1986年获国家发明专利。<br> 阙端麟　　长期从事半导体材料研究工作，在国内首先开展用硅烷法制备纯硅，驻高纯硅烷的研究。负责并领导高纯极高阻硅单晶的研制，成功地研制出极高阻控测器级硅单晶。在硅单晶电学测试方面，提出双频动态电导法和间歇加热法硅单晶导电类型判别技术。发展了单色红外光电导衰减寿命测试技术和理论，使硅单晶工业产品寿命测试仪全部国产化，首先提出用氮作为保护气直拉硅单晶技术。冲破长期以来认为氮与硅在高温下发生化学反应的思想束缚，生产出优质低成本硅单晶。促进并领导CZ--硅中氮杂质基础研究的开展。
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<br>简历
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<br>1928年5月19日 出生于福建省福州市。
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<br>1947—1951年 厦门大学电机系学习。
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<br>1951—1953年 厦门大学电机系助教。
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<br>1953—1957年 浙江大学电机系，
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<br>1954年晋升讲师，1955年任系实验室主任。
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<br>1957—1972年 浙江大学无线电系半导体材料与器件专业教研室副主任。
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<br>1972—1979年 浙江大学无线电系半导体材料研究室主任，1978年晋升副教授。
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<br>1979—1984年 浙江大学材料系副主任兼半导体材料所所长，1981年晋升教授。
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<br>1984—1988年 浙江大学副校长。
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<br>1988—1993年 浙江大学硅材料国家重点实验室学术委员会常务副主任，1991年被评为中国科学院院士。
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<br>1993—1997年 浙江大学硅材料国家重点实验室学术委员会常务副主任兼重点实验室主任和半导体材料研究所所长。
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<br>1997—2004年 浙江大学硅材料国家重点实验室学术委员会主任兼半导体材料研究所所长。
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<br>2004年至今 浙江大学半导体材料研究所所长。
 
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<br> 　　阙端麟先后主持并完成的研究课题有硅烷法制取高纯硅；红外光源硅单晶寿命仪；减压充氮直拉硅单晶技术；双频动态电导法硅单晶导电型号仪．1超高纯硅烷国家六五攻关；探测器级特高阻硅单晶国家六五、七五攻关项目；微氮直拉硅单晶的基 础研究有关课题和多孔硅发光机理研究等。先后为本科生、研究生开设《电工材料》、《半导体材料》、《近代物理基础》等课程。其中国家攻关项目都获得四委表彰。除省部级奖外，“全分了筛吸附法提纯硅烷”获1980年国家发明三等奖；“高额109／m红外光电 导衰减硅单晶少子寿命测试仪”获1988年国家发明三等奖；“减压充氮直拉硅单晶技术获1989年国家发明二等奖。发表的重要论文50余篇。获中国发明专利权8项。<br>　　阙端麟主持研制生产仪器的技术指标大大超过同类进口仪器水平，使硅单晶工业产品寿命测试仪全部国产化，该成果获国家发明奖三等奖。20世纪80年代是阙端麟在科研上丰收的时期，除高纯硅和测试技术、测试仪器外，还在硅晶体生长技术方面取得了实质性进展，“氮保护气氛直拉硅单晶”的研究成功，打破了国外同行专家“不可能采用氮气作保护气氛拉制硅单晶”的结论，取得了6项发明专利，其经济效益和社会效益十分显著。“减压充氮直拉硅单晶技术”被《科技日报》评选为我国1987年10项重大科技成果之一，1988年该成果又在布鲁塞尔举行的第37届尤里卡世界发明博览会上获金牌奖；1989年获国家发明奖二等奖。 八十年代他研究发展了单色红外光电导衰减硅少子寿命测试仪并在各大学及工厂推广应用。该成果于1988年获国家发明三等奖。他首创减压充氮直拉硅单晶技术，取得中国发明专利7项，该成果于1989年获国家发明二等奖。近十年来他领导的研究小组在掺氮直拉硅单晶的研究方面又取得了重要进展，发表的重要论文50余篇。为我国硅材料的发展作出了重要贡献。<br>荣誉<br>　　1956年，阙端麟被评为浙江大学先进工作者，1983年被评为浙江省五讲四美为人师表优秀教师，1986年被评为国家级有突出贡献的中青年专家，1988年获浙江省劳动模范称号，1990年被评为全国高等学校先进科技工作者，同年获全国“五一”劳动奖章。
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<br>主要论著
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<br>1 Que Duan-Lin，Li Li-ben，Chen Xiuzhi，Lin Yu-ping，Zhang Jin-xin，Zhou-xiao andYang Jiang-song. Czochralski silicon crystal growth in ni-trogen atmosphere under reduced pressure Czochralski silicon crystal.Science in China A，1991，34： 76
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<br>2 Que Duan-Lin，et al，. Surface recombination correction formula formeasuring minority carrier lifetime in silicon crystals by monochromaticlight photoconductive decay. Chinese Journal of Electronics ，1994 ，4：76
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<br>3 Deren Yang，Duanlin Que and Koji Sumino. Nitrogen effect on thermaldonor and shallow thermal donor in silicon. J. Appl. Phys. ，1995，77：943
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<br>4 Deren Yang，Ruixin Fan，Liben Li，Duanlin Que and Koji Sunimo.Effect of nitrogen-oxygen complex on electricity properties of Czochralskisilicon. Appl. Phys. Lett.，1996，68： 487
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<br>5 Deren Yang，Ruixin Fan，Liben Li，Duanlin Que and Koji Sunimo. Do-nor formation in nitrogen doped silicon. J. Appl. Phys.，1996，80：1493
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<br>6 Deren Yang.Duanlin Que，Koji Sumino. Nitrogen-oxygen complexes insilicon，Physica status solidi (b). 1998，210： 295
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<br>7 Xiwen Zhang，Deren Yang and Duanlin Que. Effect of Iron on oxygenprecipitation in nitrogen-doped Czochralski silicon. J. Appl. Phys.，1998，84：5502
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<br>8 Deren Yang，Duanlin Que. Influence of Dislocations on Nitrogen-OxygenComplex in Silicon，Physica status solidi (a). 1999，171： 203
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<br>9 Dongsheng Li，Deren Yang，Duanlin Que. Effect of nitrogen on disloca-tions in silicon during heat treatment. Physica B，1999，273： 553
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<br>10 Deren Yang，Xiangyang Ma，Ruixin Fan，Jinxin Zhang，Liben Li，Du-anlin Que. Oxygen precipitation in nitrogen doped Czochralski silicon.Physica B，1999，273： 308
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<br>11 Deren Yang，Liben Li，Xiangyang Ma，Ruixin Fan，Duanlin Que ，H.J. Moeller. Oxygen related centers in multicrystalline silicon. SolarEnergy Material and Solar Cells，2000，62： 37
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<br>12 Xiaodong Pi，Deren Yang，Xiangyang Ma，Qiong Shui，Duanlin Que.Electrical activity of nitrogen-oxygen complexes in silicon. Physica sta-tus solidi (b)，2000，221：641
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<br>13 Qiong Shui，Deren Yang，Liben Li，Duanlin Que. Intrinsic gettering ofCzochralski silicon annealed in argon and nitrogen atmosphere. PhysicsB，2001，307：40
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<br>14 J. Lu，D. Yang，D. Tian，Y. Shen，X. Ma，L. Li，D. Que.Process-Induced Defects in Nitrogen Doped Czochralski Silicon in DiodeProcesses. Physica B，2001，308： 1173
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<br>15 G. Wang，D. Yang，D. Li，Q. Shui，D. Que. Mechanical strengthof nitrogen-doped silicon single crystal investigated by three-point ben-ding method. Physica B，2001，308： 450
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<br>16 Deren Yang，Jinggang Lu，Luixin Fan，Xiangyang Ma ，Liben Li，Du-anlin Que. The impacts of nitrogen on power diode characteristics. Ma-terial Science and Engineering B，2002，91：495
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<br>17 Xuegong Yu，Deren Yang，Xiangyang Ma，Jiansong Yang，Liben Li， Duanlin Que. Grown-in defects in nitrogen-doped Czochralski Silicon.Journal of Applied Physics，2002，92： 188
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<br>18 Jin Xu，Deren Yang，Xiangyang Ma，Xuegong Yu，Chunlong Li，Duan-lin Que，A. Misiuk. Oxygen precipitation in Czochralski silcon an-nealed at 450℃ under a high pressure of 1 Gpa. Physica B，2003，327：60
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<br>19 Xuegong Yu，Deren Yang，Xiangyang Ma，H Li，Y Shen，D Tian，Liben Li，Duanlin Que. Intrinsic gettering in germanium-doped Czo-chralski crystal silicon crystals. Journal of Crystal Growth 2003，250：359
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<br>20 Xuegong Yu ，Deren Yang ，Xiangyang Ma ，Ruixin Fan ，Duanlin Que. Bipolar Structure in Thermally Treated Czochralski Silicon Wafer.Jpn. J. Appl. Phys，2003 ，42： 1129
 
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<br>　　阙端麟在研究工作中有两个特色：一是在选题上有自己独到的见解；二是他一贯重视科研与生产的紧密结合，将科研成果转化为生产力。?<br>　　确定研究方向、选择研究课题在科研工作中具有极其重要的作用，它关系到能否取得高水平成果、能否有发展前途。阙端麟在确定研究方向和选题时所遵从原则是：既要寻找有发展前途的高水平课题，又要照顾到本单位乃至我国所具备的实际条件，量力而行。30多年前，他经过深思熟虑，由研究温差电材料，转而选择了量大面广、性能优良的硅材料作为研究方向，迈出了关键的一步；30多年后的今天，在浙大建成了以高纯硅材料为特色的国家重点实验室。他认为，科学研究不能“人云亦云”、“凑热闹”，搞低水平的重复。在了解和研究前人及同时代人工作的基础上，必须要有自己的思想和独特的技术思路，才会有所建树。这些思想促使他选题方向正确，且富有创造性，往往取得显著成果。　<br>　　在 阙端麟建设浙大半导体材料学科过程中，阙端麟带领一班人四处奔波，寻求支持，苦心经营，经过了由小到大，由“土”变“洋”的漫长道路。阙端麟是国内较早开始半导体材料研究的学者之一。阙端麟作为高纯硅国家重点实验室学术带头人，浙江大学半导体材料专业创始人，他的业绩不仅是上述教学研究成果和发明，还具有可贵的创业精神。他苦心经营，把几个人的科研小组发展成集教学、科研、生产于一体的近百人的集体，建立了一支老中青相结合的学术梯队，创立了拥有数亿元固定资产的基地，为学科的发展奠定了坚实的基础。浙江大学半导体材料学科是国务院学位委员会批准的第一批硕士学位授予点和第一个半导体材料工学博士学位授予点，1988年又被评定、批准为国家教委重点学科。1985年国家计委批准在浙江大学建设高纯硅国家重点实验室，1987年建成并对外开放。它具备了较好的从事半导体材料和半导体器件教学、研究的条件，已成为培养高质量人才、出高水平成果的基地。
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<br>来源：中国科学技术协会 编;罗沛霖 主编.中国科学技术专家传略·工程技术编 电子信息科学技术卷 二.北京：中国科学技术出版社.2007.第221-231页.
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<br>　　阙端麟教授学识渊博，诲人不倦，平易近人，师德高尚，他爱党爱国，刻苦攻关，硕果累累。阙端麟忠诚人民的教育事业，40多年来在教育战线上辛勤耕耘，培养了一大批社会主义事业接班人。浙江大学是我国最早开办半导体材料与器件专业的学校之一，阙端麟是开办该专业的最主要骨干教师之一，为该专业的建设和发展做出过重要贡献。他先后为本科生、研究生开设了“电工材料”、“半导体材料”、“半导体专论”、“真空技术”、“半导体物理”、“近代物理基础”等10多门课程，其中多门课程都是在没有教科书，甚至没有系统参考书的情况下，由他首先收集资料开出的。阙端麟由于基础扎实、知识面宽、根底深厚，讲课深入浅出，理论联系实际，语言精炼而生动，得到学生好评。 阙端麟他注重理论联系实际，有很强的实验技能，在教学过程中一贯重视培养学生实践和实验能力。在他的指导下，研究生都能较早深入实验室和工厂参加课题讨论、实验和生产实践，并从中选择毕业论文课题，往往收到很好效果，大多数研究生的论文都有较高的学术水平和应用价值。在阙端麟的身教言传训练下，他的学生都有较强的科研实验能力。许多学生已成长为各单位业务骨干和领导。?<br>科研与生产相结合<br>　　阙端麟不仅一直非常重视科研与生产相结合，而且积极主张努力发展校办产业，他的多项成果一经鉴定就直接转入浙江大学半导体厂生产，工厂所创造的经济效益又用来支持学科和实验室建设，形成了生产与学科建设紧密结合的思路。在此思路的指导下，半导体厂发展很快，1995年国务院发展研究中心授予半导体厂“中华之最”荣誉称号。?<br>自力更生<br>　　阙端麟是我国自己培养的专家，他深信在中国的土地上能够做出自己的贡献。 阙端麟几十年的攀登拼搏，换来了一项又一项成果、发明，为中国人争了光。在科研道路上闯过了坎坎坷坷的阙端麟深深体会到，自力更生精神在科技工作中的体现，不仅仅是艰苦奋斗，它更深刻的含义在于利用中国现有条件，去争取高水平的成果。他对前人的经验和结论并不盲从，而是独立思考，批判地吸收，从而有所发现、有所创造、有所前进。<br>创新意识<br>　　阙院士通过大量生动的例子阐明了近现代科学的迅猛发展对人类社会的影响，并提出了研究生培养的重点是创新意识。他说，“创新是科技工作者的天职”对于创新的方法和关键，阙院士认为，创新不一定是从无到有，而是站在巨人的肩膀上攀登，要求科技工作者继承与创新并重，在掌握现有知识体系的基础上，善于发现，勤于思考，才能有所创新。<br>　　在各种科学技术蓬勃发展的今天，创新也趋于多样化。阙老指出，那些公认的问题、实验的新发现、学科的交叉移植及理论的新突破都是创新的焦点。并且，实验的思考和论文的综述十分重要，只有理论与实践紧密结合，并时时关注学科的发展，才会找到自己的创新之路。
 
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<br>　1957年，“发展半导体事业”被列入新中国第一个十二年科学发展规划，全国不少高校开始创办半导体材料方面的专业。浙江大学是国内最早开办工科半导体材料与器件的学校之一。阙端麟是浙大半导体材料与器件专业的主要创始人，由此专业发展而来的半导体材料学科，在上世纪八九十年代曾经是国内半导体材料学科中唯一的国家重点学科，是我国最早的半导体材料工学硕士点、博士点。依托学科建立的“硅材料国家重点实验室”，为1985-86年国家计委批准建设的第一批国家重点实验室之一。<br>　　3月23日下午，伴着潇潇春雨，记者如约来到求是村阙端麟院士家。待得上楼，阙先生早已在迎候。耄耋之年的阙先生眼神明亮，精神矍铄，他亲切地招呼记者坐下，并为记者泡上一杯茶。在氤氲的茶香中，阙先生答复了记者对往事的追溯。<br>　　1953年院系调整时，阙端麟被调到浙江大学工作。作为电机系的一名教师，他一开始并未从事半导体方向的研究。当时阙端麟为学生开设了一门新课：《电工材料》，其中包括了半导体的内容。在教学研究过程中，他觉得半导体材料是一个新的研究方向，于是在到浙大后的次年，便开始研究半导体温差材料，不久就研制成功了我国第一台温差发动机。当时，国际上对半导体材料———硅的研究也在开始阶段。经过分析思考，阙端麟选择了硅材料作为研究方向。在今天硅材料是电子工业的基础材料，是产量最大、用途最广的半导体材料。一个国家的硅材料研究、开发和产业水平，是它的电子工业发展水平的标志之一。<br>　　硅是地球上很丰富的元素，但是，研究半导体硅材料的初时，首先需要提纯硅得到高纯度硅。1959年，阙端麟开始探索提纯硅烷及制备高纯硅技术。制备高纯硅有多种方法，之所以选择硅烷法，原因之一是这种方法制备的纯度最高；原因之二是这种方法国内还没有人在研究，尽可能避免重复其他方法的研究；原因之三是因为这种方法相对而言实验条件在当时比较适合浙大的许可。阙端麟认为这种方法在浙大是最切合实际的，最有可能成功的。但是，这种方法却是比较危险的，因为硅烷容易发生爆炸。事实上，在实验过程中，爆炸了不下十几二十次，阙端麟的一只手掌心就曾被炸开一个口子，缝了三针。到底爆炸了几次，倒没确切统计了，当时忙着记录统计的是一个个实验的数据。”阙端麟笑着说。由于经费有限，当时很多实验仪器就靠自己动手做，阙端麟自己还吹制玻璃制品等零件。为了防止实验中爆炸伤人，用铁丝网把实验设备罩起来。<br>　　然而四、五年时间过去了，硅单晶制备技术上却没有取得突破。面对资金紧张、设备简陋、硅烷容易爆炸等重重困难，阙端麟和课题组为什么没有放弃呢。他说，一步步地改进实验方法，在实验中虽然失败但感到一步步地逼近成功一次次地看到曙光。1964年，终于在实验室取得高纯硅单晶。<br>　　之后的“文革”期间，浙大组织了扩大的研究组，完成了浙大硅烷法成套工业生产设备研究。硅烷法至今为止仍是我国生产高纯硅烷的方法。阙端麟说，1968年浙大生产的高纯硅烷气就已经供应市场了，高纯硅烷气是一种重要的电子工业特气。随后阙端麟带领课题组积极参与国家“六五”攻关，又取得了高阻探测器级硅单晶的成功。<br>　　此外、阙端麟研究发展了单色红外光电导衰减硅少子寿命测试仪；研究成功减压充氮直拉硅单晶技术，领导他的团队进入新的研究领域。<br>　　阙端麟始终非常重视科研与生产相结合。他的科研成果一经鉴定就直接用于社会生产，所创造的经济效益又用来支持学科和实验室建设。现在学科拥有的生产基地是国内业界龙头之一，同时也是研究和开发半导体材料、培养相关高级专门人才的基地。[1]
 

2017年8月8日 (二) 23:12的最新版本

阙端麟(1928.5.19-2014.12.17)
　　阙端麟，中国科学院院士，半导体材料专家，我国较早开始半导体材料教学与科学研究的学者之一。试制成我国第一台温差电发电机，在硅烷提纯和高纯多晶硅制备等方面取得突破，所负责的探测器级特高阻硅单晶的“六五”攻关研究项目取得圆满成功，发展了硅单晶单色红外光电导衰减少子寿命测试技术，发明了减压充氮直拉硅单晶生长技术。研究的多项成果都应用于生产实际，取得突出成绩。

　　阙端麟，1928年5月19日出生于福建省福州市。当他在马尾的莲峰小学读书时，抗日战争爆发，后转入福州的三一小学读到毕业，但不久福州即被日本侵略军占领，他跟随父母迁居后方的南平，进入省立南平初级中学学习。在艰苦的环境下，他刻苦攻读，1944年以优秀成绩完成初中学业，进入著名的福州英华中学读高中。1945年，抗日战争胜利，他随英华中学回到福州，继续高中学习，学习成绩一直名列前茅。1947年夏天，他考取厦门大学电机系，1951年以优异成绩毕业，留校任助教。
　　1953年院系调整时，他被调到浙江大学电机系工作，筹建和承担电机系电工材料的教学任务。由于教学成果突出，1954年被破格提升为讲师，并担任电机系实验室主任。同年，他开始了温差电半导体材料和器件的实验，制备出了我国第一台温差发电机。1957年，他参与筹建浙江大学无线电系半导体材料与器件专业，随之担任教研室副主任。1959年，他开始转向半导体硅材料的研究，主要从事高纯硅烷的提纯和高纯多晶硅的制备、探测器级高纯硅单晶的研制、硅单晶测试分析技术以及掺氮直拉硅单晶的晶体生长和缺陷工程基础研究。1970年后，半导体材料与器件专业分为半导体器件专业与半导体材料研究室，他担任半导体材料研究室主任，并在1978年晋升为副教授。1979年，浙江大学成立国内第一个材料科学与工程学系，半导体材料研究室从无线电系转入材料系，并成立半导体材料研究所，他担任材料系副主任和半导体材料所所长。1981年晋升为教授，1984年到1988年担任浙江大学副校长，1988年后担任浙江大学校务委员会副主任等职务。
　　1986年，在半导体材料研究所和产业基地的基础上成立高纯硅及硅烷国家重点实验室(后改名为硅材料国家重点实验室)，他任学术委员会常务副主任，1994年至1997年兼任此国家实验室主任，1997年后担任该实验室学术委员会主任。
　　1983年他被评为浙江省“五讲四美、为人师表”优秀教师，1986年被评为国家级有突出贡献的中青年专家，1988年获浙江省劳动模范称号，1990年再次被评为浙江省劳动模范，并被评为全国高等学校先进工作者，获全国五一劳动奖章。1996年他所领导的硅材料国家重点实验室获“浙江省重大科技贡献奖”。
　　阙端麟曾先后担任浙江省自然科学基金委员会副主任，浙江省人民政府经济建设咨询委员会委员，浙江省学位委员会副主任，中国电子学会电子材料学分会副主任，浙江省电子学会副理事长、名誉理事长，国务院学位委员会第二届、第三届、第四届非金属材料学科评审组成员、负责人，国家自然科学基金委员会半导体学科评审组成员、组长，中国发明协会理事、“九三学社”中央委员、常委，“九三学社”浙江省委主委，浙江省科协主席，浙江省政协副主席等职。1983年担任第六届全国政协委员，1988年当选为第七届全国人大代表。1991年当选为中国科学院技术科学部学部委员(1993年改称院士)。
　　作为早期的半导体材料研究者之一的阙端麟，曾先后获得国家发明奖3项，省部级一、二等奖11项。1954年开始温差电材料的研究并试制成我国第一台温差电发电机。1959年开始提纯硅烷及制备高纯硅的研究，1964年在国内首先用硅烷法制成高纯硅，随后在浙江大学组成扩大的研究课题组，完成了高纯硅烷及多晶硅生产的成套技术并进行‘中试’，该方法投资省、适合小规模生产，是我国30多年来生产高纯硅烷的主要方法，该成果于1980年获国家发明三等奖。20世纪80年代，还研究制得了高纯高阻探测器级硅单晶。在硅单晶电学测试方面，发展了单色红外光电导衰减寿命测试技术和理论，1.09μm红外光电导衰减寿命测试仪的研究成果于1988年获国家发明三等奖，该成果广泛应用于我国硅单晶工业产品寿命测试和科研。80年代初首先提出用氮作为保护气的直拉硅单晶技术，生产出优质低成本硅单晶，取得中国发明专利7项，1989年获国家发明二等奖。由于研究成果突出，2002年又获“何梁何利科技进步奖”。
　　他所领导的浙江大学半导体材料学科是国家重点学科，是我国最早的半导体材料工学硕士点、博士点，是国家半导体硅材料人才培养的主要基地之一。
　　他坚持产学研结合，不仅努力开展半导体材料的研究，而且积极推动硅材料的产业化。早在70年代初期，他就在半导体材料所设立产业基地，生产高纯硅烷、高纯多晶硅和单晶硅，后来产业基地改为浙大半导体厂，发展成为国内半导体硅材料的重要企业之一。
　　
硅烷提纯和高纯多晶硅制备
　　硅材料是产量大、用途广的一种半导体材料。对硅材料的研究、开发水平和形成产业的规模，在一定程度上标志着这个国家的电子工业的发展水平。由于半导体硅材料要求的纯度很高，因此制备的难度很大。国外对半导体硅材料的研究始于50年代初期。
　　1959年，阙端麟开始着手提纯硅烷及制备高纯硅的研究时，国内的科研条件很艰苦，既没有足够的经费，也没有足够的场地;加上限于当时的条件，不易获得有参考价值的国外资料。而且在硅烷的研制过程中，有着一不小心就可能发生爆炸的危险，以致在开始时国内没有一个研究小组敢于率先开展这方面的工作。他凭借着敏锐的科学眼光和勇气，决定攻克这一科研难题。他领导研究组同事，先从硅烷制备开始，选定技术路线，搭建实验平台，并冒着气体爆炸的危险，一次一次地进行实验。鉴于制备半导体硅材料必须先有高纯度硅烷，即硅烷中的微量杂质含量要降低到每百万个硅原子中只能有一个杂质原子，因此需要对硅烷中微量杂质、杂质的吸附与吸收等方面进行精细而艰苦的研究。得到高纯硅烷以后，还要将它还原制备成高纯多晶硅。经过5年的努力，1964年他们在提纯硅烷制取高纯硅研究方面取得了突破，在国内首先成功地获得了硅烷法高纯硅单晶及高纯硅烷。此后，浙江大学扩大了硅材料研究组。1970年在实验研究的基础上，完成并建立了高纯硅烷及高纯多晶硅生产的成套工艺技术。1977年该研究成果及“中试”通过鉴定。1980年定名为“全分子筛吸附法提纯硅烷”的研究成果获得国家发明三等奖。
　　这套技术生产工艺简单、流程短、投资省，易于保证高纯度，成为此后30多年中我国生产高纯硅烷的主要方法。
　　
单色红外光电导衰减寿命测试技术和理论
　　半导体硅单晶是高纯材料，其电学测量需要精确的测试技术和精良的测试仪器。少数载流子寿命是硅单晶材料的基本参数之一，也是判断硅单晶材料质量好坏的主要指标之一。当时，一般硅材料研究或生产单位都不能测试硅单晶少子寿命，而国内硅单晶的研究、开发和生产又急需这样的测试分析设备。70年代以后，阙端麟在突破高纯硅单晶的研制和工业生产的同时，将精力投向硅材料的测试技术和理论的研究，以及测试仪器的研制，在硅单晶少数载流子寿命测试方面提出了新的创见。他发展了单色红外光电导衰减技术和理论，提出了将测试光源改为宽脉冲辐照，先后研制成功了GGS-1、GGS-2型硅单晶少数载流子寿命仪，其技术指标均大大超过当时同类进口产品。这两种仪器在国内获得了广泛使用。与此同时，他还创立并首先发表了高频单色光电导衰减寿命测试的表面修正公式。1988年，其科研成果“1.09μm高频红外光电衰减寿命测试仪”获国家发明三等奖。
　　
以氮为保护气的直拉硅单晶技术
　　作为微电子工业基础材料的直拉硅单晶，其早期是在真空中生长的。后来人们发现，利用惰性气体氩气作为保护气体，可以生长优质的直拉硅单晶。但是在80年代，中国的高纯氩气资源十分缺乏和昂贵。当时国际上都认为氮气与硅在高温下会发生化学反应，不能作为硅单晶生长的保护气。他未为这种观念所束缚，而以廉价的氮气替代氩气，首创了“减压充氮直拉硅单晶”的整套技术。这套具有中国自主知识产权的新技术，先后获得7项中国发明专利，据此生产的硅单晶中的有害杂质碳可降低到红外检测灵敏度之下。浙江大学半导体厂硅单晶生产的快速发展并取得重大的经济效益与采用这项新技术密切相关。这项成果被《科技日报》评选为1987年度中国10项重大科技成果之一，并于1989年获得国家发明二等奖。
　　这项发明还开辟了含氧硅单晶的氮基础研究的广阔领域。他所领导的研究组，在有关国际杂志和国际会议上发表了数十篇论文，首次揭示了微氮硅中的许多重要性能：如新的氧沉淀形态、氮与氧沉淀关系、氮对新施主的影响、微氮硅单晶可采用吸除技术、氮氧施主的消除方法、氮关施主的发现、消除技术的研究，等等。这些都有力地促进了这个研究领域的深入发展，并在国际上产生了重要影响。
　　
建立基地，教书育人
　　在半导体硅材料领域辛勤耕耘了50年的阙端麟，为国家培养了一大批半导体材料领域的硕士、博士和博士后等高级人才，可谓桃李满天下。他们之中有不少已成为国内外有关院校或研究部门的知名教授或专家。
　　50年代，他带领教研组、研究所的科研人员，在一片空白的基础上，建成了浙江大学半导体材料学科。80年代，我国恢复研究生培养制度后，他所领导的浙江大学半导体材料专业是国务院学位委员会批准的第一批工学半导体材料的硕士点，不久又成为第一个工学半导体材料博士点，并于1991年建成博士后流动站，他自己也成为我国第一位工学半导体材料博士生导师。1988年，他领导的浙江大学半导体材料学科被评为国家重点学科，在当时这是我国唯一的“半导体材料”国家重点学科。2002年国家重新评估重点学科时，按照新学科目录，半导体材料学科归入“材料物理与化学”学科，再次被评为国家重点学科。1985年，国家计委批准浙江大学在半导体材料学科的基础上，建设高纯硅及硅烷国家重点实验室(后改名硅材料国家重点实验室)，1987年建成后对外开放。这也是国家“211”建设和教育部“985”建设的重点学科。在他的领导下，浙江大学半导体材料学科和硅材料国家实验室，已经成为我国半导体硅材料研究、开发和人才培养的主要基地之一。
　　阙端麟一直非常重视科研与生产相结合，坚持产、学、研紧密结合。早在70年代初期，他就尽力促进研究所在科研成果的基础上建立了半导体厂，首先将硅烷、高纯多晶硅成果转为产业化生产，继之又将硅单晶分析测试设备、探测器级高阻硅单晶、微氮直拉硅单晶等研究成果转化为实际生产，使半导体厂所创造的经济效益得以支持学科和国家实验室的建设，从而形成了学科建设与生产发展紧密结合、互相支持、共同发展的特色。浙江省政府为了奖励他领导的团队在科研转化生产力方面的突出贡献，特于1996年向该硅材料国家重点实验室颁发了浙江省重大科技贡献奖。
　　在浙江大学半导体材料所基础上建立起来的浙江大学半导体厂发展很快，其直拉硅单晶产量居国内同行前列，1995年国务院经济研究中心即授予浙江大学半导体厂“中华之最”(全国直拉硅单晶产量第一)的荣誉，成为国内硅材料的主要产业基地之一，其产品还大量出口海外。
　　作为浙江大学教授，阙端麟肩负着教书育人的重任，50年来一直在教育战线上辛勤耕耘，70多岁时仍然坚持给研究生上课，坚持参加学术讨论会，历任浙大半导体材料研究所所长、材料系副主任、浙江大学副校长、浙江大学校务委员会副主任，为浙大的教育事业作出了重大的贡献。
　　中华人民共和国成立之初，百废待兴，正是需要人才的时候。当时学校考虑阙端麟有扎实的物理化学基础，决定把理工结合，物理、化学、电学交叉的电工材料新课程交给才毕业两年的他单独承担。他积极投入教学改革工作，独立承担了电工材料课程教材、教学、实验的全部筹建工作，按时于1954年开出电机系各专业的电工材料课程，在国内最早建立了较完善的电工材料实验教学，并且教学效果突出，深受学生好评，成为浙江大学第一批先进工作者中最年轻的一位。后来他参与了筹建浙江大学半导体材料与器件专业，这是我国最早的一批工科半导体材料与器件专业之一。他先后为本科生、研究生开设了“电工材料”、“半导体材料”、“半导体专论”、“半导体物理”、“近代物理基础”等课程，其中多门课程都是在没有教科书，甚至没有系统参考书的情况下，由他首先收集资料开出的。他还主编了《硅材料科学和技术》专著。
　　阙端麟在科学研究中，高瞻远瞩，从不人云亦云，搞低水平重复，总是在了解前人和同时代人工作的基础上，提出自己的独特的思想和技术路线。
作者：杨德仁

简历
1928年5月19日 出生于福建省福州市。
1947—1951年 厦门大学电机系学习。
1951—1953年 厦门大学电机系助教。
1953—1957年 浙江大学电机系，
1954年晋升讲师，1955年任系实验室主任。
1957—1972年 浙江大学无线电系半导体材料与器件专业教研室副主任。
1972—1979年 浙江大学无线电系半导体材料研究室主任，1978年晋升副教授。
1979—1984年 浙江大学材料系副主任兼半导体材料所所长，1981年晋升教授。
1984—1988年 浙江大学副校长。
1988—1993年 浙江大学硅材料国家重点实验室学术委员会常务副主任，1991年被评为中国科学院院士。
1993—1997年 浙江大学硅材料国家重点实验室学术委员会常务副主任兼重点实验室主任和半导体材料研究所所长。
1997—2004年 浙江大学硅材料国家重点实验室学术委员会主任兼半导体材料研究所所长。
2004年至今 浙江大学半导体材料研究所所长。

主要论著
1 Que Duan-Lin，Li Li-ben，Chen Xiuzhi，Lin Yu-ping，Zhang Jin-xin，Zhou-xiao andYang Jiang-song. Czochralski silicon crystal growth in ni-trogen atmosphere under reduced pressure Czochralski silicon crystal.Science in China A，1991，34： 76
2 Que Duan-Lin，et al，. Surface recombination correction formula formeasuring minority carrier lifetime in silicon crystals by monochromaticlight photoconductive decay. Chinese Journal of Electronics ，1994 ，4：76
3 Deren Yang，Duanlin Que and Koji Sumino. Nitrogen effect on thermaldonor and shallow thermal donor in silicon. J. Appl. Phys. ，1995，77：943
4 Deren Yang，Ruixin Fan，Liben Li，Duanlin Que and Koji Sunimo.Effect of nitrogen-oxygen complex on electricity properties of Czochralskisilicon. Appl. Phys. Lett.，1996，68： 487
5 Deren Yang，Ruixin Fan，Liben Li，Duanlin Que and Koji Sunimo. Do-nor formation in nitrogen doped silicon. J. Appl. Phys.，1996，80：1493
6 Deren Yang.Duanlin Que，Koji Sumino. Nitrogen-oxygen complexes insilicon，Physica status solidi (b). 1998，210： 295
7 Xiwen Zhang，Deren Yang and Duanlin Que. Effect of Iron on oxygenprecipitation in nitrogen-doped Czochralski silicon. J. Appl. Phys.，1998，84：5502
8 Deren Yang，Duanlin Que. Influence of Dislocations on Nitrogen-OxygenComplex in Silicon，Physica status solidi (a). 1999，171： 203
9 Dongsheng Li，Deren Yang，Duanlin Que. Effect of nitrogen on disloca-tions in silicon during heat treatment. Physica B，1999，273： 553
10 Deren Yang，Xiangyang Ma，Ruixin Fan，Jinxin Zhang，Liben Li，Du-anlin Que. Oxygen precipitation in nitrogen doped Czochralski silicon.Physica B，1999，273： 308
11 Deren Yang，Liben Li，Xiangyang Ma，Ruixin Fan，Duanlin Que ，H.J. Moeller. Oxygen related centers in multicrystalline silicon. SolarEnergy Material and Solar Cells，2000，62： 37
12 Xiaodong Pi，Deren Yang，Xiangyang Ma，Qiong Shui，Duanlin Que.Electrical activity of nitrogen-oxygen complexes in silicon. Physica sta-tus solidi (b)，2000，221：641
13 Qiong Shui，Deren Yang，Liben Li，Duanlin Que. Intrinsic gettering ofCzochralski silicon annealed in argon and nitrogen atmosphere. PhysicsB，2001，307：40
14 J. Lu，D. Yang，D. Tian，Y. Shen，X. Ma，L. Li，D. Que.Process-Induced Defects in Nitrogen Doped Czochralski Silicon in DiodeProcesses. Physica B，2001，308： 1173
15 G. Wang，D. Yang，D. Li，Q. Shui，D. Que. Mechanical strengthof nitrogen-doped silicon single crystal investigated by three-point ben-ding method. Physica B，2001，308： 450
16 Deren Yang，Jinggang Lu，Luixin Fan，Xiangyang Ma ，Liben Li，Du-anlin Que. The impacts of nitrogen on power diode characteristics. Ma-terial Science and Engineering B，2002，91：495
17 Xuegong Yu，Deren Yang，Xiangyang Ma，Jiansong Yang，Liben Li， Duanlin Que. Grown-in defects in nitrogen-doped Czochralski Silicon.Journal of Applied Physics，2002，92： 188
18 Jin Xu，Deren Yang，Xiangyang Ma，Xuegong Yu，Chunlong Li，Duan-lin Que，A. Misiuk. Oxygen precipitation in Czochralski silcon an-nealed at 450℃ under a high pressure of 1 Gpa. Physica B，2003，327：60
19 Xuegong Yu，Deren Yang，Xiangyang Ma，H Li，Y Shen，D Tian，Liben Li，Duanlin Que. Intrinsic gettering in germanium-doped Czo-chralski crystal silicon crystals. Journal of Crystal Growth 2003，250：359
20 Xuegong Yu ，Deren Yang ，Xiangyang Ma ，Ruixin Fan ，Duanlin Que. Bipolar Structure in Thermally Treated Czochralski Silicon Wafer.Jpn. J. Appl. Phys，2003 ，42： 1129

来源：中国科学技术协会 编;罗沛霖 主编.中国科学技术专家传略·工程技术编 电子信息科学技术卷 二.北京：中国科学技术出版社.2007.第221-231页.

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